| Előszó | 13 |
| Szerkezet, ismertetés és jelölések | |
| Szerkezeti felépítés | 15 |
| Rajzjelek | 16 |
| A tranzisztor rétegei és az elektroncső-elektródák | 17 |
| A tranzisztor-tok | 19 |
| A kivezetések | 20 |
| A típusjelölések áttekintése | 21 |
| A betűk | 21 |
| A számjegyek és a harmadik betű | 22 |
| A tranzisztorgyártás | 22 |
| A germánium előállítása és tiszítása | 22 |
| A zónás olvasztási eljárás és az egykristály húzása | 23 |
| Az egykristály szétdarabolása | 24 |
| A félvezető lapocskák maratása | 26 |
| A tranzisztort alkotó egyenes darabok és összeillesztésük | 26 |
| A tranzisztor beszerelése a tokba | 26 |
| Ellenőrzések és vizsgálatok | 29 |
| Jelleggörbék | |
| Előzetes megjegyzések | 30 |
| Az elektroncső anódáram - rácsfeszültség jelleggörbéje | 30 |
| A tranzisztor kollektoráram - bázisfeszültség jelleggörbéje | 31 |
| A vezérlési jelleggörbék jelentése | 32 |
| Báziselőfeszültség és rácselőfeszültség | 33 |
| Csövek és tranzisztorok vezérlési jelleggörbéinek összehasonlítása | 34 |
| A kollektorfeszültség hatása a vezérlési jelleggörbére | 35 |
| Bemeneti jelleggörbék | 35 |
| Kimeneti jelleggörbék állandó bemeneti feszültség esetén | 37 |
| Kimeneti jelleggörbék állandó bemeneti áram esetén | 38 |
| A kétféle kimeneti jelleggörbesereg összehasonlítása | 39 |
| Tranzisztor és pentóda kimeneti jelleggörbéinek szembeállítása | 40 |
| Mérőirányok és előjelek | 41 |
| Az egyenáramok és az egyenfeszültségek közötti összefüggések | 42 |
| Az előjelek figyelembevétele a jelleggörbékben | 44 |
| A vezérlési, bemeneti és kimeneti jelleggörbék összefoglaló áttekintése | 45 |
| Tranzisztorjellemzők, jellemző értékek és határértékek | |
| Jellemzők és jellemző értékek | 48 |
| A tranzisztor legfontosabb jellemzőinek és jellemző értékeinek áttekintése | 48 |
| Alapvető tudnivalók a váltakozóáramú jellemzőkkel kapcsolatban | 49 |
| A meredekség | 51 |
| A bemeneti vezetés | 52 |
| A kimeneti vezetés | 53 |
| A rövidzárási áramerősítés | 55 |
| A tranzisztor négypólus-paraméterei | 57 |
| A négypólus-karakterisztikák és a négypólus-paraméterek meghatározása | 58 |
| Egyenáramú jellemzők | 61 |
| A háromfaja maradék-kollektoráram | 62 |
| Az Icb0 maradékáram (maradék-kollektoráram maradék kollektor-bázis áram, lezárási áram) | 63 |
| Az Icr maradékáram (rövidzárási maradékáram) | 64 |
| Az ICe0 maradékáram (maradék kollektor-emitter áram) | 65 |
| A maradék-kollektorfeszültség | 66 |
| A termikus jellemzők | 67 |
| A hőmérsékleti átlátás | 67 |
| A hővezetési ellenállások | 68 |
| A teljes hővezetési ellenállás és a hővezetési részellenállások | 70 |
| Az Rhb belső hővezetési ellenállás | 71 |
| Az Rhk külső hővezetési ellenállás | 71 |
| A frekvenciajellemzők | 71 |
| Teljesítményerősítés | 72 |
| A zajelemzők | 72 |
| A határértékek általában | 73 |
| Feszültség- és áram-határértékek | 73 |
| Hőmérsékleti és veszteségi teljesítmény-határértékek | 74 |
| A hőmérsékletfüggés és stabilizálás elvi lehetőségei | |
| Hőmérsékletfüggés | 76 |
| A stabilitás problémája általában | 76 |
| Elhanyagolható egyenáramú külsőellenállás | 76 |
| A stabilizálás és váltakozóáramú tranzisztor-jel-jellemzők. Egyedi szórás | 80 |
| Stabilizálás báziselőfeszültséggel | 80 |
| Az adott lehetőségek áttekintése | 81 |
| Kapcsolásitechnikai alapismeretek | |
| A tranzisztor mint erősítő | 83 |
| Kis jelek erősítése | 83 |
| Nagy jelek erősítése | 84 |
| A tranzisztor mint elektronikus kapcsoló | 84 |
| A három alapkapcsolás | 86 |
| Az elektroncső három alapkapcsolása | 87 |
| A tranzisztor három alapkapcsolása | 88 |
| A félvezetők fizikája | |
| A tiszta félvezető mint kiindulási alap | 91 |
| Három hasonlat a tisztaság érzékeltetésére | 91 |
| Az atom, és vegyérték- (valencia-) elektronjai | 92 |
| A germánium-atomok egymáshoz kapcsolódása | 93 |
| Kristályrács és elemi cella | 94 |
| Az elektronok energiatartalma | 94 |
| Tiltott sáv, vezetők, félvezetők és szigetelők | 96 |
| Szabadon mozgó töltéshordozók a tiszta félvezetőben | 96 |
| Párképződés és rekombináció | 98 |
| A töltéshordozók mozgása feszültség hatására | 98 |
| A lyukáram | 99 |
| Még egy hasonlat a lyukáram érzékeltetésére | 100 |
| Sajátvezetés (i-vezetés) | 101 |
| A szennyezés | 101 |
| A donor | 102 |
| Az akceptor | 103 |
| Az i-, n- és p-típusú réteg | 104 |
| Többségi és kisebbségi töltéshordozók | 105 |
| Többletvezetés és hiányvezetés (elektronvezetés és lyukvezetés) | 105 |
| A záróréteg fizikája | |
| A p-típusú és az n-típusú réteg közötti átmenet | 106 |
| A p-típusú és az n-típusú félvezető anyag | 107 |
| Diffúzió a kétféle réteg határán | 107 |
| A diffúzió következtében keletkező feszültség | 108 |
| A határfelületre merőleges feszültségeloszlás | 109 |
| Tértöltések és tértöltés-réteg | 110 |
| Tértöltés, térerősség és feszültség | 111 |
| A szennyezés mértéke és a tértöltés-réteg vastagsága | 113 |
| A feszültség és a tértöltés-réteg vastagsága | 115 |
| Azonos mértékű szennyezettség a p-típusú és az n-típusú rétegben | 115 |
| pn-átmenet különféle külső feltételek mellett | 115 |
| A p-típusú és az n-típusú réteg külső vezető által fémesen van összekötve | 117 |
| A pn-átmenethez záróirányú külső áramforrás csatlakozik | 119 |
| A p-típusú és az n-típusú réteg szennyezettsége különböző mértékű | 120 |
| Az ni-átmenet | 121 |
| Rétegdióda jelleggörbéje | 122 |
| A temperatúra-feszültség | 123 |
| A záróirányú telítési áram | 124 |
| A dióda-jelleggörbe analitikai kifejezése | 124 |
| A záróréteg kapacitása | 125 |
| A tranzisztor fizikája | |
| A két dióda kombinációjának tekintett tranzisztor | 127 |
| A tranzisztor működésének áttekintése | 127 |
| Átmenet a dióda-jelleggörbéből a tranzisztor vezérlései jelleggörbéje | 130 |
| A töltéshordozók mozgása a tranzisztorban | 131 |
| A tranzisztor működésének részletes ismertetése | 132 |
| A bázisréteg szélessége és az aktív bázisszélesség | 134 |
| A diffúziós háromszög | 135 |
| A diffúziós háromszög oldalhosszúságainak változása | 136 |
| A diffúziós háromszög és a bázisáram | 138 |
| A diffúziós kapacitás | 138 |
| A diffúziós háromszög és a tranzisztor vezérlése | 139 |
| A diffúziós háromszög és a kimeneti vezérlés, ill. kimeneti impedancia | 141 |
| Újra a diffúziós háromszög | 143 |
| A drift-tranzisztor háromszög | 143 |
| Feszültségeloszlás a tranzisztorban a töltéshordozók pályája mentén | 144 |
| A két tranzisztor-áramkör | 145 |
| Ismét: a tranzisztor mint erősítő | 146 |
| A kimeneti jellegörbék hasonlósága a pentóda-jelleggörbékhez | 147 |
| A tranzisztorokkal való bánásmód | |
| Mechanikai szilárdság | 148 |
| Üzemeltetési helyzet | 148 |
| Hőérzékenység | 148 |
| A kivezetések megengedhető legnagyobb hőmérséklete | 149 |
| Elővigyázatossági rendszabályok merítőforrasztás esetén | 150 |
| Átütési szilárdság | 150 |
| Az átütési szilárdság figyelembevétele forrasztáskor | 151 |
| A tranzisztor csatlakoztatása foglalattal | 151 |
| Szigetelés | 152 |
| Fényérzékenység | 152 |
| Mérések | 152 |
| Nyitottbázis-emitter áramkör elkerülése | 153 |
| A tápfeszültség polaritása | 153 |
| Védelem fordított polaritású tápfeszültséggel szemben | 155 |
| Túlfeszített üzem | 155 |
| Bevált tranzisztorkapcsolások | |
| Előzetes megjegyzések | 156 |
| Hangfrekvenciás erősítő ellenütemű végfokozattal | 157 |
| Kiváló hangminőségű, transzformátor nélküli hangfrekvenciás erősítő | 160 |
| Kiváló hangminőségű térhanghatású erősítő | 164 |
| Középhullámú bemeneti fokozat | 169 |
| KF-erősítő (470 kHz) | 170 |
| Rövidhullámú bemeneti fokozat | 172 |
| Közép- és rövidhullámú bemeneti fokozat | 174 |
| Közép- és rövidhullámú vevő önműködő erősítésszabályozása | 177 |
| Demodulátor és az erősítészszabályozó feszültség előállítása rövid- és középhullámú vevőknél | 178 |
| URH bemenő és keverőfokozat | 179 |
| Kf-erősítő (10,7 MHz) földelt bázisú kapcsolásban működő tranzisztorokkal | 181 |
| Kf-erősítő (10,7 MHz) tranzisztoros meghajtó fokozattal | 185 |
| Egyenfeszültség-átalakító (transzverter) 6 V/25 V, 25 mA | 187 |
| Egyenfeszültség-átalakító (transzverter) 6 V/70 V, 5...10 mA | 189 |
| Egyenfeszültség-átalakító (transzverter) 6 V/1500 V, 0,5 mA | 191 |
| Kísérleti berendezés | |
| Kísérleti berendezés | 193 |
| Előzetes megjegyzések | 193 |
| A berendezés leírása | 193 |
| Alapvető tudnivalók a kísérleti berendezés használatára | 195 |
| Az ismertetett kísérletek áttekintése | 195 |
| Az egyes kapcsolások sémái | 196 |
| A telepek feszültségének ellenőrzése | 196 |
| A leosztott feszültségek | 197 |
| A tranzisztor mint kapcsoló | 198 |
| Az emitter vezetékbe kapcsolt ellenállás hatása | 199 |
| Bázisáram kimutatása | 200 |
| A kollektor-tápfeszültségről leosztott bázisfeszültség | 201 |
| A tranzisztor mint változtatható ellenállás | 201 |
| Az emitterellenálás hatása | 202 |
| Vezérlési jelleggörbe felvétele | 203 |
| A meredekség meghatározása | 206 |
| Kimeneti jelleggörbeség | 206 |
| Az áramerősítési tényező | 208 |
| A maradék kollektor - emitter áram hőmérsékleti függése | 212 |
| A kollektoráram hőmérsékleti függése | 213 |
| A kollektor veszteségi teljesítménye által okozott felmelegedés | 214 |
| A hőmérsékleti áthatás | 215 |
| A nyugalmi kollektoráram stabilizálása hőmérsékleti ingadozásokkal szemben | 216 |
| Fényérzekenység | 218 |
| A kísérleti berendezés mint erősítő; áttekintés | 218 |
| Erősítő fokozat az emitterkörbe kapcsolt ellenállás nélkül | 220 |
| Erősítő fokozat az emitterkörbe kapcsolt ellenállással | 221 |
| Alkatrészjegyzék a 40 és 43 ábrákhoz | 223 |
| A kísérleti berendezésről készült rajzok és fényképek | 225 |
| Tárgymutató | 228 |
Folytatás Microsoft-tal