1.031.459

kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát

A kosaram
0
MÉG
5000 Ft
a(z) 5000Ft-os
szállítási
értékhatárig

Amorf félvezetők

Szerkesztő

Kiadó: MTA Központi Fizikai Kutató Intézet
Kiadás helye: Budapest
Kiadás éve:
Kötés típusa: Ragasztott papírkötés
Oldalszám: 188 oldal
Sorozatcím:
Kötetszám:
Nyelv: Magyar  
Méret: 29 cm x 21 cm
ISBN:
Megjegyzés: A könyv 115 példányban jelent meg. Fekete-fehér ábrákkal illusztrálva.
Értesítőt kérek a kiadóról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Előszó

Az amorf félvezetők kutatása a kristályos félvezetők rendszeres tanulmányozásának egyenes következménye és folytatása. A tranzisztor feltalálása után kialakult félvezető ipar támogatásával és... Tovább

Előszó

Az amorf félvezetők kutatása a kristályos félvezetők rendszeres tanulmányozásának egyenes következménye és folytatása. A tranzisztor feltalálása után kialakult félvezető ipar támogatásával és érdekeinek megfelelően mind kiterjedtebb és alaposabb elméleti és technológiai kutatások kezdődtek meg, amelyek célja az ideális "klasszikus" félvezetőkben lejátszódó' folyamatok megértése volt. A valóságos anyagok azonban mindig tartalmaznak szennyezéseket, rácshibákat, mikrorepedéseket, felületi szennyezéseket stb., amelyek a félvezető sajátságait döntő módon befolyásolják, s így a kristályos félvezetőkben betöltött szerepük megértése szükségszerű volt. Az ideális rendezettségű kristály fogalmára épített elmélet a rácshibákat kezdetben gyenge perturbációknak tekintette. Az erősen szennyezett, a rácshibahelyeket nagy koncentrációban tartalmazó anyagok iránt igazán csak az alagút-dióda felfedezése után, 1957-ben kezdtek érdeklődni. A megindult kutatások hamarosan bebizonyították, hogy a szerkezetileg erősen rendezetlen amorf anyagok számos olyan új vonással rendelkeznek, amelyek nem következnek az ideális vagy majdnem ideális kristályra bevezetett elmélet eredményeinek extrapolálásából.
Ezzel egyidőben az üveg és a folyadékállapot elmélete is rohamosan fejlődött. A hatvanas évek elejére megjelent a folyékony és amorf félvezetők elméletét megalapozó [52] könyv, amely egy napjainkban is tartó, rendkívül gyors fejlődési folyamat elindítójának tekinthető. Ezt a gyors fejlődést az integrált-miniatürizált áramkörök és a számítógépek térhódítása idézte elő, amelyek gyártásánál a különböző szigetelő és félvezető vékonyréteg-elemeknek döntő szerep jutott. Vissza

Tartalom

Bevezetés 1
1. A szilárd testek elektromos vezetési mechanizmusa 2
1.1. Vezetők és szigetelők 2
1.2. A félvezetők sajátvezetése és szennyezéses vezetése 6
1.3. Elektronmozgékonyság kondenzált fázisban 8
1.4. Elektronállapotok rendezetlen szilárd anyagokban 11
1.5. Az elektronátmenetek lehetséges esetei amorf anyagokban 14
1.6. Hopping kis térerősség hatására 16
1.7. Vezetés nagy térerősségnél 18
1.8. Váltóáramú vezetés 20
1.9. Fotovezetés; az ionizációs sugárzások hatása 21
1.10. Hall-effektus 23
2. A rendezetlen állapot modelljei 26
2.1. Az Anderson-lokalizáció 27
2.2. A Mott-Cohen-Fritzsche-Ovshinsky /MCFO/-modell 34
2.3. A rövidtávú rend, mint a tiltott sáv eredete 33
2.4. A Mott-Davis /DM/ modell 46
2.4.1. Sztatikus vezetőképesség 47
2.4.2. Optikai abszorpció 51
2.4.3. Fotovezetés 52
2.5. Fémes jellegű fajhő alacsony hőmérsékleten 52
2.6. Folyékony félvezetők 54
3. Kapcsolási jelenségek amorf anyagokban 58
3.1. Elemi félvezetők 60
3.2. Kalkogenid félvezető üvegek 63
3.2.1. Kapcsoló /OTS/ 64
3.2.2. Memória-viselkedés 68
3.3. Oxid-üveg memória 73
3.4. A kapcsolás termikus modellje 74
3.5. A kapcsolás elektromos elmélete 78
3.6. A memória-állapottal kapcsolatos fázisátalakulások 82
3.7. Lokális jelenségek memóriaanyagokban 84
3.8. Memória-jelenség vékony szigetelő filmekben 88
3.9. A jelenségek eredete a szigetelő filmekben 91
4. Az amorf anyagok felhasználása 94
4.1. A küszöbkapcsoló 94
4.2. OTS logikai áramkörök 96
4.3. Elektrolumineszcens kijelző eszközök /OVEL/ 98
4.4. Memória-kapcsolók 101
4.5. OMS elemek előállításának, meghibásodásának és élettartamának kérdései 105
4.6. MNOS tranzisztor 108
5. Félvezető üvegek 112
5.1. A félvezető üvegek általános jellemzői 112
5.2. Az üvegkép fedési tartomány 114
5.3. A félvezető üvegek fizikai-kémiai tulajdonságai 121
5.3.1. Sűrűség 121
5.3.2. Szerkezet 123
5.3.3. Viszkozitás 124
5.3.4. Lágyulási hőmérséklet, keménység, hőtágulási együttható 126
5.3.5. Vegyállóság, stabilitás 128
5.4. Optikai tulajdonságok 129
5.5. Elektromos tulajdonságok 134
5.5.1. Vezetőképesség 134
5.5.2. A töltéshordozók és a termoelektromos feszültség előjele 136
5.5.3. A.szennyezések hatása 137
5.5.4. A töltéshordozók koncentrációja és mozgékonysága 143
5.6. Fotoelektromos tulajdonságok 146
5.6.1. Fotovezetés 146
5.6.2. Fotoelektromos feszültség 148
6. Vékonyrétegek előállítása 152
Bevezetés 152
6.1. Vékonyrétegek előállítása fizikai módszerekkel 153
6.1.1. Kondenzációs mechanizmus és rétegnövekedés 153
6.1.2. Vákuumpárologtatás 159
6.1.3. Párologtatási módszerek 160
6.1.4. Speciális vákuumpárologtatási technikák 162
6.1.5. Katódporlasztás 163
6.1.6. Többkomponensű rétegek 168
6.2. Oxidrétegek kialakítása kémiai eljárásokkal 169
6.2.1. Anódos oxidáció 169
6.2.2. Termikus oxidáció 170
6.2.3. Pirolízis 172
6.2.4. Hidrogén-redukció 173
6.3. A vékonyrétegek technológiai tulajdonságainak mérési módszerei 173
6.3.1. A film vastagságának meghatározása 173
6.3.1.1. Kvarckristály monitor 174
6.3.1.2. Optikai módszerek 175
6.3.1.3. Vastagságmérés kapacitás segítségével 176
6.3.2. Módszerek a vékonyrétegek kémiai összetételének és szerkezetének a vizsgálatára 178
6.4. Elektronikus kapcsolóelemek előállítása 180
Hivatkozások 182
Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem
konyv