| Jelölések | 9 |
| Bevezetés | 11 |
| Történeti áttekintés | 12 |
| Az MMIC-k fejlődésének jelenlegi helyzete | 14 |
| Irodalomjegyzék az 1. fejezethez | 20 |
| A GaAs fizikai sajátosságai | 23 |
| Kristály- és sávszerkezet | 23 |
| Elektromos és termikus transzporttulajdonságok | 25 |
| Töltéshordozó transzport kisméretű eszközökben nagy elektromos térerőnél | 33 |
| Összefoglalás | 39 |
| Irodalomjegyzék a 2. fejezethez | 40 |
| A GaAs eszköztechnológia főbb lépései | 43 |
| Az egykristály előállítása | 44 |
| Előállítási módszerek | 45 |
| A félszigetelő GaAs | 46 |
| Összefoglalás | 47 |
| Epitaxiás növesztés | 48 |
| Folyadékfázisú eljárás | 48 |
| Gőzfázisú eljárás | 50 |
| Epitaxiás növesztés szerves fémvegyületekből | 52 |
| Molekulasugaras epitaxia | 53 |
| Egyéb módszerek | 55 |
| Összefoglalás | 55 |
| Ionimplantáció | 56 |
| Az implantálásra használt anyagok | 57 |
| Az implantált rétegek hőkezelése | 57 |
| Összefoglalás | 59 |
| Diffúzió | 59 |
| Dielektrikumleválasztás | 59 |
| Fémezés | 59 |
| A felület előkészítése és rajzolatok kialakítása marással | 60 |
| Ohmos kontaktusok | 61 |
| Kapuelektródák | 62 |
| Összekötő fémezés | 62 |
| Összefoglalás | 62 |
| Litográfia | 62 |
| Ultraibolya-sugaras litográfia | 63 |
| Elektronsugaras litográfia | 63 |
| Röntgensugaras litográfia | 64 |
| Önillesztéses eljárás | 64 |
| Leúsztatás | 65 |
| Összefoglalás | 65 |
| Kiszerelés | 66 |
| Összefoglalás | 67 |
| Irodalomjegyzék a 3. fejezethez | 67 |
| Aktív elemek | 73 |
| Monolit kivitelű diódák | 73 |
| A monolit varaktor | 73 |
| A monolit Schottky-dióda | 73 |
| Védődiódák | 75 |
| Térvezérlésű tranzisztorok | 75 |
| A MESFET | 79 |
| A MOSFET ÉS MISFET tranzisztor | 102 |
| A GaAs JFET | 102 |
| A GaAs bipoláris tranzisztor | 103 |
| GaAs-alapú heteroátmenetes térvezérlésű tranzisztor | 103 |
| A GaAs-alapú heteroátmenetes bipoláris tranzisztor | 103 |
| Összefoglalás | 111 |
| Irodalomjegyzék a 4. fejezethez | 114 |
| Passzív elemek | 122 |
| Általános szempontok | 122 |
| A mikroszalagvonal | 122 |
| A koplanárvonal | 124 |
| Egyéb tápvonaltípusok | 124 |
| Induktivitások kialakítása | 127 |
| Kapacitások kialakítása | 130 |
| Ellenállások kialakítása | 133 |
| Átvezetések, áthidalások | 135 |
| Összefoglalás | 136 |
| Irodalomjegyzék az 5. fejezethez | 136 |
| Digitális MMIC elrendezések | 138 |
| Kapcsolások MESFET típusú eszközökkel | 138 |
| A BFL rendszer | 138 |
| Az SDFL rendszer | 140 |
| A DCFL rendszer | 141 |
| Az LPFL rendszer | 142 |
| Egyéb áramköri megoldások | 142 |
| Összefoglalás | 143 |
| Kapcsolások JFET típusú eszközökkel | 144 |
| Kapcsolások MOSFET típusú eszközökkel | 144 |
| Összefoglalás | 144 |
| Irodalomjegyzék a 6. fejezethez | 146 |
| Alkalmazások | 146 |
| Berendezésorientált áramkörök | 148 |
| Tároló áramkörök | 148 |
| Frekvenciaosztók | 152 |
| Erősítők | 156 |
| Erősítők koncentrált paraméterű elemekkel | 160 |
| Erősítők elosztott paraméterű hálózatokból | 162 |
| Keverők | 175 |
| Fázistoló áramkörök | 186 |
| Oszcillátorok | 196 |
| Egyéb áramkörök | 196 |
| Összefoglalás | 199 |
| Irodalomjegyzék a 7. fejezethez | 200 |
| Mérési módszerek | 201 |
| Irodalomjegyzék a 8. fejezethez | 206 |
| Megbízhatósági és sugárzásállósági kérdések | 208 |
| Az MMIC-k megbízhatósági kérdései | 209 |
| Az MMIC-k sugárzásállósága | 212 |
| Összefoglalás | 214 |
| Irodalomjegyzék a 9. fejezethez | 214 |
| Lehetőségek és korlátok | 216 |
| A monolit mikrohullámú integrált áramkörök korlátait meghatározó fizikai tényezők | 216 |
| A technológiai korlátozó tényezők szerepe | 218 |
| Összefoglalás | 219 |
| Irodalomjegyzék a 10. fejezethez | 219 |
| Összegzés és kitekintés | 220 |
| Irodalomjegyzék a 11. fejezethez | 225 |
| Függelék | 226 |
| Tárgymutató | 233 |
