| Bevezetés | 1-1 |
| Félvezető fizikai összefoglaló | 2-1 |
| Töltéshordozók a félvezetőben | 2-1 |
| A sávszerkezet | 2-1 |
| Elektronok és lyukak | 2-2 |
| Félvezetők, szigetelők, vezetők | 2-3 |
| A sávszerkezetről, bővebben | 2-4 |
| A szilícium kristályszerkezete | 2-6 |
| Elektronok és lyukak a szerkezeti félvezetőben | 2-6 |
| Adalékolt félvezetők | 2-7 |
| Az elektron- és a lyuksűrűség számítása | 2-9 |
| A FERMI szint helyzete | 2-12 |
| A hordozó sűrűség függése a hőmérséklettől | 2-13 |
| Áramok félvezetőben | 2-15 |
| A sodródási áram | 2-15 |
| A diffúziós áram | 2-19 |
| Generáció, rekombináció, folytonossági egyenletek | 2-20 |
| Diffúziós egyenlet, diffúziós hosszúság | 2-22 |
| A pn átmenet | 3-1 |
| A pn átmenet struktúrája | 3-1 |
| Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál | 3-6 |
| Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg | 3-9 |
| Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása | 3-10 |
| A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája | 3-15 |
| Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata | 3-15 |
| Az ideális dióda karakterisztika egyenlete | 3-19 |
| Másodlagos jelenségek | 3-25 |
| A pn átmenet differenciális jellemzői és kapacitásai | 3-34 |
| A pn átmenet differenciális ellenállása | 3-34 |
| A pn átmenet kapacitásai | 3-38 |
| Diffúziós kapacitás és admittancia | 3-41 |
| A tértöltési kapacitás számítása | 3-45 |
| A pn átmenet kapcsoló működése | 3-47 |
| Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése | 3-48 |
| Dióda tranziensek és kvalitatív magyarázatuk | 3-50 |
| A pn átmenet töltésegyenlete | 3-53 |
| A pn átmenet működésének hőmérsékletfüggése | 3-53 |
| A záróáram hőmérsékletfüggése | 3-53 |
| A nyitófeszültség hőmérsékletfüggése | 3-55 |
| Dióda | 4-1 |
| Tokozás, termikus jellemzők | 4-1 |
| A dióda tokozása | 4-1 |
| Hőelvezetés, hővezetési ellenállás | 4-3 |
| A félvezető diódák adatlapja | 4-7 |
| A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere | 4-7 |
| Egy adatlap részletes ismertetése | 4-8 |
| Különleges diódák | 4-14 |
| Változó kapacitású diódák | 4-14 |
| Zener diódák | 4-16 |
| A dióda számítógépi modellezése | 4-19 |
| A bipoláris tranzisztor | 5-1 |
| A bipoláris tranzisztor struktúrája | 5-1 |
| A tranzisztorhatás | 5-5 |
| Az áramerősítés | 5-5 |
| Injektálási hatásfok, transzporthatásfok | 5-7 |
| Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor | 5-8 |
| A tranzisztor üzemmódjai | 5-9 |
| Potenciálviszonyok a tranzisztorban | 5-12 |
| Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság | 5-14 |
| Beépített tér a bázisban | 5-15 |
| A emiter- és a transzport hatásfok számítása | 5-15 |
| Az EBERS-MOLL helyettesítőkép | 5-16 |
| Az ideális tranzisztor karakterisztikái | 5-19 |
| Közös bázisú tranzisztor karakterisztikák | 5-24 |
| Az erősítés folyamata a tranzisztorban | 5-24 |
| Közös emitteres működés | 5-26 |
| Közös emitteres tranzisztor karakterisztikák | 5-27 |
| A valóságos tranzisztor karakterisztikái | 5-31 |
| A CB parazita dióda hatása | 5-31 |
| A soros ellenállások | 5-32 |
| Kimenő vezetés és a visszahatás (EARLY hatás) | 5-34 |
| Az áramerősítés munkapontfüggése | 5-38 |
| Az áramkiszorítás | 5-40 |
| Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások | 5-42 |
| A kisjelű erősítőműködés jellege | 5-42 |
| Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés | 5-44 |
| Kisjelű fizikai helyettesítőképek | 5-44 |
| A kapacitások figyelembevétele | 5-49 |
| Négypólus helyettesítő képek | 5-51 |
| Nagyfrekvenciás működés | 5-56 |
| A tranzisztor határfrekvenciái | 5-56 |
| A határfrekvenciák közelítő számítása | 5-58 |
| A határfrekvenciát befolyásoló további tényezők | 5-59 |
| A tranzisztor kapcsoló működése | 5-60 |
| A kapcsoló működés jellege | 5-60 |
| Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény | 5-62 |
| Áramköri tranziensek | 5-65 |
| A belső működés tranziensei | 5-67 |
| A töltésegyenletek | 5-72 |
| A térvezérelt tranzisztorok | 6-1 |
| Áttekintés: működési elv, változatok | 6-1 |
| A MOS struktúra | 6-4 |
| Felületi jelenségek a félvezetőben | 6-4 |
| A MOS struktúra potenciál viszonyai és küszöbfeszültsége | 6-7 |
| A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége | 6-9 |
| A C-V görbe és mérése | 6-11 |
| A MOS tranzisztor | 6-13 |
| A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája | 6-13 |
| A karakterisztika egyenlet levezetése | 6-14 |
| Másodlagos jelenségek a MOS tranzisztornál | 6-17 |
| A MOS tranzisztor kapacitásai | 6-19 |
| A MOS tranzisztor hőmérséklet függése | 6-21 |
| Teljesítmény MOS tranzisztor struktúrák | 6-22 |
| A kiürítéses MOS tranzisztor | 6-22 |
| A záróréteges térvezérelt tranzisztor | 6-23 |
| Struktúra és karakterisztikák | 6-23 |
| Az elzáródási feszültség számítása | 6-25 |
| A karakterisztika egyenlete | 6-25 |
| Kisjelű paraméterek, helyettesítőkép | 6-25 |
| A Függelék. A munkaegyenes szerkesztés | |
| B Függelék. Fontosabb félvezető eszközök szabványos rajzjelei | |
| C Függelék. A jegyzetben használt jelölések | |
| Név- és tárgymutató | |
Folytatás Microsoft-tal