Félvezetős tárak tervezése és alkalmazása

Szerző

Fordító

Grafikus

'G. Luecke: Félvezetős tárak tervezése és alkalmazása ' összes példány

Kiadó:	Műszaki Könyvkiadó
Kiadás helye:	Budapest
Kiadás éve:	1980
Kötés típusa:	Vászon
Oldalszám:	399 oldal
Sorozatcím:	Elektronikai Sorozat
Kötetszám:
Nyelv:	Magyar
Méret:	24 cm x 17 cm
ISBN:	963-10-3178-0
Megjegyzés:	282 fekete-fehér ábrával illusztrálva. Tankönyvi szám: 60907.

Értesítőt kérek a kiadóról

Értesítőt kérek a sorozatról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Tartalom

Előszó	11
Tárolási műveletek és gazdaságosságuk	15
Bevezetés	15
A háromfajta tárolási mód	16
Sorrendi hozzáférésű tárak	16
Közvetlen hozzáférésű tárak	23
Fixprogramtárak	30
Irodalom	35
A félvezetős tárelemek áttekintése	37
A megvalósítani kívánt félvezetős tárelem karakterisztikája	37
A jelenlegi félvezetős táráramkörök áttekintése	38
A szilícium területével való gazdálkodás koncepicója	41
Bevezetés a szilícium alapú eszközök gyártási folyamatába	41
MOS- és bipoláris tárak összehasonlítása	43
A szilíciumfelülettel való gazdálkodás jelentősége	45
A félvezetős tártechnológiák ismertetése és összehasonlítása	47
Bipoláris technológiák	47
MOS-technológiák	52
A sebesség-teljesítmény szorzatok összehasonlítása	62
A tokozási technológia összefoglalása	62
Következtetések	63
Irodalom	65
Sorrendi hozzáférésű tárak	66
Bevezetés	66
MOS-léptetőregiszterek	69
Bevezetés	69
A háromfázisú sztatikus léptetőregiszter	70
A kézfázisú, arány jellegű dinamikus léptetőregiszter	72
A kétfázisú aránymentes dinamikus léptetőregiszter	76
A négyfázisú aránymentes dinamikus léptetőregiszter	79
A komplementer MOS-léptetőregiszter	83
A MOS-léptetőregiszterek problémái	85
Az órajelek előállítása	85
A léptetőregiszterek illesztése a rendszerhez	86
A bipoláris léptetőregiszterek jellemzői	86
A MOS-léptetőregiszter teljesítőképességének időbeli változása	88
Integrált léptetőregiszter-egységek	89
Jövőbeli fejlesztési irányok	90
Bevezetés	90
Töltéscsatolt eszközök (CCD, Charge Coupled Devices)	90
Vödörlánceszközök (BBD, Bucket Brigade Devices)	92
Mágneses buborékeszköz (MBD, Magnetic Bubble Device	94
Következtetések	96
Irodalom	97
A bipoláris közvetlen hozzáférésű tár	99
Bevezetés	99
A közvetlen hozzáférésű tár meghatározása	99
Miért bipoláris RAM?	99
A bipoláris RAM tervezési szempontjai	100
A bipoláris RAM-cellák áramkörei	101
A több emitteres cella	101
A diódacsatolású cella	102
Az ECL-tárcella	103
A RAM-ok periféria-áramkörei	104
Egy kétszavas, szavanként hárombites RAM mint tervezési példa	104
A 64-bites SN 7489 típusú RAM mint tervezési példa	106
A 256-bites SN 74200 típusú RAM bipoláris RAM	108
ECL-RAM-ok	110
Az 1024 bites RAM	110
Új technológiai lehetőségek a bipoláris RAM-ok részére	113
A kétdiódás cella	113
A lavinatörést hasznosító, kétkivezetésű tranzisztoros tárcella	114
A Wiedmann-Berger-tárcella	115
Gyártási eljárások	116
A bipoláris RAM-ok időbeli fejlődése	117
Cellaméret	117
Gazdaságosság	118
Lapkabonyolultság (tokonkénti bitszám)	118
A sebesség-teljesítmény szorzat mint jósági tényező	119
Következtetések	119
Irodalom	120
A MOS közvetlen hozzáférésű tár tervezése	121
Bevezetés	121
A közvetlen hozzáférésű tár meghatározása	121
Miért alkalmazunk RAM-okat?	121
Sztatikus RAM-cella	122
Bevezetés	122
A nyolctranzisztoros sztatikus RAM-cella	123
A hattranzisztoros sztatikus RAM-cella	124
A dinamikus RAM-cellák	126
Bevezetés	126
A négytranzisztoros dinamikus RAM-cella	127
A háromtranzisztoros dinamikus RAM-cella	128
Az egytranzisztoros dinamikus RAM-cella	130
Gyártmánypéldák	132
A TMS1103 típus	132
A TMS4062 típus	134
MOS-technológia és RAM-cellatervezés	135
P-csatornás technológai és P-csatornás szilíciuimgate-technológia	136
N-csatornás technológia	137
N-csatornás szilíciumgate-technológia	137
Ionimplantációs technológia	138
CMOS-technológia	138
Újabb fejlesztések	139
Az N-csatornás 4096-bites RAM	139
A töltéspumpált RAM-cella	140
A belső frissítésű dinamikus RAM-cela	143
A MOS-RAM fejlődsée	144
Cellaméret	144
Lapkabonyolultság	145
Teljesítménydisszipáció	145
Gazdaságosság	146
Összefoglalás	146
Irodalom	147
Fixprogramú félvezetős tárak tervezése	149
Bevezetés	149
Logikai és számítási műveletek megvalósítása ROM segítségével	151
Kódátalakítás Gray-kódból decimálisba	152
Általános kombinciós logikai áramkörök megvalósítása	158
Általános sorrendi logika	158
Egy modulo-10 (decimális) számláló tervezése	159
Trigonometrikus függvénygenerátor	162
A lapkatervezés technikája	163
Bevezetés	163
A MOS-elrendezés	164
A szabványos MOS-ROM programozása	166
Sorkiválasztó áramkör	167
Oszlopkiválasztó áramkör	168
MOS fa-mátrixáramkörök	169
Dinamikus MOS-ROM	170
Bipoláris tárak technológiai tervezése	172
Tárcellák és címdekódolás	172
Címdekódoló áramkör	172
Bipoláris tármátrix	173
A tármátrix maszkprogramozása	175
Oszlopkiválasztó áramkör	176
A MOS- és a bipoláris ROM-ok összehasonlítása	178
Programozható ROM	178
Kiolvadó fémezés	178
Lavina által előidézett fémvándorlás	180
A programozható ROM-ok összeahasonlítása	180
Egyéb módszerek	181
Irodalom	184
A félvezetős tárelemek megbízhatósága	185
Bevezetés	185
Az LSI (nagymértékben integrált) áramkör megbízhatóságát meghatározó tényezők	185
A tárrendszer megbízhatósági követelményei	187
A tárrendszerek meghibásodásai közötti átlagidő (MTBF, Mean Time Between Failure)	187
A tárelem meghibásodási aránya	189
A funkciónkénti megbízhatóság	189
Bipoláris áramkörök gyári vizsgálati adatai	190
A megbízhatósági célok összehasonlítása	191
A bipoláris áramkörök gyári vizsgáalti adatainak várható alakulása	191
Bipoláris felhasználói adatok	192
Az adatok és a célok összehasonlítása	193
A MOS gyári vizsgálatai	193
MOS felhasználói adatok	194
Az adatok és a célok összehasonlítása	195
Hibajavítás	195
További lehetőségek a megbízhatóság növelésére	196
Összefoglalás	197
Irodalom	197
A fixprogramú és a sorrendi hozzáférésű tárak alkalmazása	198
Bevezetés	198
Számológép egy lapkán	198
Aritmetikai műveletek	201
Összeadás/kivonás	205
Bináris-BCD kódalakítás	205
Szorzás	207
Osztás	211
Exponenciális függvények	213
Soros akkumulátor	213
Karakter-előállítás	217
A pontmátrixformátum	217
Vektor-display formátum	220
A ROM-ok gazdaságossága	222
Irodalom	223
A bipoláris közvetlen hozzáférésű tárak alkalmazásai	224
Bevezetés	224
A terhelés	224
A tárrendszerben előforduló terhelési tényezők	226
Az időzítés	228
A rendszer-hozzáférési idő	228
Címzés, írásengedélyezés, adatbement- és adatkimenet-időzítés	229
A beírási idő	229
A ciklusidő	230
A kimeneti terhelhetőség	231
A nyitott kollektoros és a háromállapotú kimenetek összehasonlítása	231
A háromállapotú kimenet megbízhatósága	235
A tárelemek alkalmazása a tárrendszerekben	235
A 256 szónál kisebb tárrendszerek	235
A terhelésvizsgálat	237
128x16 bites tárrrendszer	238
A 256 szónál nagyobb tárrendszerek	243
256x16 bites tárrendszer	245
XYZ dekódolás	246
16 k szavas rendszer	248
4 k x 4 bites kártya	248
4 k x 16 bites tárrendszer	250
Nagyobb teljesítményű 4 k x 16 bites tárrendszer	251
Összefoglalás	253
Irodalom	253
A közvetlen hozzáférésű MOS-tárak alkalmazása	255
Bevezetés	255
A MOS-eszközök fontosabb sajátosságai	255
Nagy meghajtófeszültség	257
Tipikus bemeneti feltételek	257
Teljesítménydisszipáció	258
A MOS meghajtófokozata	259
A frissítés	261
Mi a frissítés?	261
Hogyan történik a frissítés?	263
A frissítés címzésének és vezérlésének elemzése	263
Az időzítés	265
Az időzítőgenerátor	266
A háromfázisú generátor	266
Az időzítőlogika	267
Az időzítési diagram	268
Az egymillió bites főtár elemzés	270
A tárelem kakarterisztikája	270
Időzítési diagram-olvasási ciklus	272
Időzítési diagram-írási ciklus	273
Tárrendszer	274
A TMS4062 típusú 1024 bites MOS-RAM -ot felhasználó rendszer	285
További fejlesztések	294
Az N-csatornán RAM-ok	297
Az N-csatornán MOS-hoz való csatlakozás	298
Alkalmazások	301
A legkönnyebben alkalmazható változat	301
A legnagyobb sebességű változat	302
A legolcsóbb, legnagyobb sűrűségű változat	305
További fejlesztések	309
Irodalom	309
Nagy központi tárak	311
Bevezetés	311
A kétszintű központi tárak	311
A kétszintű rendszerek	312
A tárrendszer jellemzői	316
ECL-tár	317
ECL-tárelemek	318
Az ECL-tárelemek alkalmauzkása	320
Egy 1024x9 bites ECL-tárrendszer	321
Egy nagykapacitású, nagy teljesítőképességű központi félvezetős tár	326
1024 bites tárelem	326
A nyolcmillió bites tárrendszer kártyái	328
Bővítés nyolcmillió bites rendszerré	333
Összefoglalás	343
Irodalom	344
Függelék. A félvezetős tárak jelenlegi helyzete és várható fejlődése	345
Irodalom	393
Tárgymutató	395