Schaltungen
mit Halbleiterbauelementen
Band 1: Grundlagen und Beispiele aus der NF-Technik
Von Erich Gelder und Walter Hirschmann
6. Auflage 1972, 320 Seilen, 180 Abbildungen
Dieses Buch wendet sich an jeden, der sich mit der schaltungstechnischen Anwendung von Transistoren, Dioden, totoelektrischen Bauteilen und Hallgeneratoren beschäftigt. Der Industrieingenieur findet fertige Lösungen vieler häufig auftretender Schaltungsprobleme vor und erhält Anregungen für die Bearbeitung verwandter Aufgaben. Erläuternde Texte und Berechnungshinweise machen die Wirkungsweise verständlich und erleichtern Abwandlungen für andere Betriebsbedingungen.
Schaltungen
mit Halbleiterbauelementen
Band 3: Beispiele mit Germanium-
und Silizium-Transistoren
Von Erich Gelder und Walter Hirschmann
3. Auflage 1970, 340 Seiten, 202 Abbildungen, Ganzleinen mit Schutzumschlag
Die mit Band 1 - Grundlagen und Beispiele aus der NF-Technik und Band 2 - Beispiele aus der NF- und HF-Technik - begonnene...
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Schaltungen
mit Halbleiterbauelementen
Band 1: Grundlagen und Beispiele aus der NF-Technik
Von Erich Gelder und Walter Hirschmann
6. Auflage 1972, 320 Seilen, 180 Abbildungen
Dieses Buch wendet sich an jeden, der sich mit der schaltungstechnischen Anwendung von Transistoren, Dioden, totoelektrischen Bauteilen und Hallgeneratoren beschäftigt. Der Industrieingenieur findet fertige Lösungen vieler häufig auftretender Schaltungsprobleme vor und erhält Anregungen für die Bearbeitung verwandter Aufgaben. Erläuternde Texte und Berechnungshinweise machen die Wirkungsweise verständlich und erleichtern Abwandlungen für andere Betriebsbedingungen.
Schaltungen
mit Halbleiterbauelementen
Band 3: Beispiele mit Germanium-
und Silizium-Transistoren
Von Erich Gelder und Walter Hirschmann
3. Auflage 1970, 340 Seiten, 202 Abbildungen, Ganzleinen mit Schutzumschlag
Die mit Band 1 - Grundlagen und Beispiele aus der NF-Technik und Band 2 - Beispiele aus der NF- und HF-Technik - begonnene Reihe wird mit dem dritten Band fortgesetzt. Er berücksichtigt die seit Erscheinen der beiden ersten Bände immer mehr zunehmende Tendenz zum Einsatz von Silizium-Transistoren. Alle neuen Halbleiterbauelemente, wie Integrierte Schaltungen, abschaltbare Vierschicht-Tetroden und Feldplatten werden ausführlich beschrieben.
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