Térvezérlésű tranzisztorok integrált áramkörökben

Szerző

Fordító

Lektor

'J. T. Wallmark: Térvezérlésű tranzisztorok integrált áramkörökben ' összes példány

Kiadó:	Műszaki Könyvkiadó
Kiadás helye:	Budapest
Kiadás éve:	1977
Kötés típusa:	Ragasztott papírkötés
Oldalszám:	175 oldal
Sorozatcím:	Elektronika
Kötetszám:
Nyelv:	Magyar
Méret:	20 cm x 14 cm
ISBN:	963-10-1843-1
Megjegyzés:	159 fekete-fehér ábrát tartalmaz. Tankönyvi száma: 60 803.

Értesítőt kérek a kiadóról

Értesítőt kérek a sorozatról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Tartalom

Előszó	9
Legfontosabb jelölések	11
Bevezetés	13
A térvezérlésű tranzisztor története	13
Térvezérlésű tranzisztorok; fogalmak és meghatározások	15
Félvezetők tulajdonságai	19
A kristályszerkezet	19
Az energiasáv-modell	20
Fémek, szigetelők, félvezetők	21
A Fermi-szint	22
Elektromos töltések félvezetőkben	24
Elektronok és lyukak, szerkezeti félvezetők	24
Szennyezett (adalékolt) félvezetők	25
Térvezérlés	29
A felületi réteg tulajdonságai	30
Fém-oxid-félvezető (MOS) térvezérlésű tranzisztorok	32
Térvezérlésű tranzisztorok felépítése	32
Kiürítéses és növekményes típusok	33
Drain és source	35
Küszöbfeszültség és töltésegyensúly	36
Áram-feszültség-karakterisztikák	40
Nagyon alacsony feszültség esete (a lineáris tartomány)	40
Alacsony drainfeszültségű üzem (az elzáródás alatti tartomány)	41
Nagy drainfeszültség esete (a telítési tartomány)	43
Másodrendű hatások az áram-feszültség-karakterisztikában	44
A kimeneti impedancia	44
A szubsztrált feszültség	45
Letörés a draintartományban	45
Letörés a gate-elektródában	46
A hőmérséklet hatása a MOS tranzisztorokra	47
Öregedési hatások	48
MOS tranzisztorok kapacitásai	48
A gate-kapacitás	48
A drainkapacitás	49
Térvezérlésű tranzisztorok különleges típusai	51
Záróréteges térvezérlésű tranzisztorok	51
Áram-feszültség-karakterisztikák	52
Hőmérsékletfüggés	54
Kapacitások	56
Schottky-gate térvezérlésű tranzisztorok	56
Memóriatranzisztorok	57
MOS tranzisztorok digitális áramkörökben	60
Általános követelmények logikai áramkörökre	60
Az inverter; karakterisztikája és teljesítményfelvétele	62
Az inverter nyugalmi állapotainak stabilitása	68
Zajtartalék és zajvédettség	71
Az inverter sebessége	73
Az inverter terveszése	80
Összefoglalás	82
Komplementer inverterek	82
Órajeles logika	88
Logikai kapuk	90
NEM-VAGY kapuk	90
NEM-ÉS kapuk	92
Relé és logika	93
Komplementer áramkörök	94
Regiszterek és memóriák	98
Flip-flop áramkörök	98
Dinamikus regiszterek	100
Tolóregiszterek	102
Dinamikus időregiszterek	102
Sztatikus tolóregiszterek	106
Töltéscsatolású eszközök és "bucket-brigade" regiszterek	109
Töltéscsatolású eszközök	109
Bucket-brigade regiszterek	111
Véletlen elérésű memóriák (RAM)	112
Csak olvasó memóriák (ROM)	112
Író-olvasó memóriák (RWM)	117
MOS tranzisztorok lineáris áramkörökben	128
A MOS tranzisztorok karakterisztikái	128
Szivárgási áramok	129
Kisjelű áramkörök földelt source-szal	129
Zajviszonyok MOS tranzisztorokban	135
MOS tranzisztorok torzítása	138
Gyártás és technológia	139
Egykristály anyag	139
Szeletelés és felületi kezelés	142
A szilícium oxidációja	144
Fotoreziszt	147
A maszk előállítása	148
Diffúzió	148
A gate-szigetelés előállítása	151
Fémezés	151
Vékonyréteg tranzisztorok	152
Szilícium-zafír technika	153
Integrált áramköri technológia	156
A szilícium felszíni területe	157
Átbújtatott összeköttetések	158
Sztatikus átütés elleni védelem	159
MOS áramkörök elrendezése	160
Próbaegységek	161
Nagybonyolultságú áramkörök	162
Integrált áramkörök csatlakozási szempontjai	165
Példa MOS LSI áramkörök tervezésére	167
Irodalom	173