| A szilárdtestek sávelmélete | 9 |
| Az elektron konstans potenciáltérben | 9 |
| Egydimenziós eset | 9 |
| Általánosítás három dimenzióra | 12 |
| Az energiaállapotok sűrűsége | 12 |
| Az elektron mozgása periodikus potenciáltérben | 13 |
| Egydimenziós probléma | 13 |
| Általánosítás három dimenzióra | 18 |
| Az energiaállapotok sűrűsége | 20 |
| A töltéshordozók dinamikája a kristályban | 21 |
| Elektromos vezetés félvezetőkben | 24 |
| Félvezetők | 24 |
| Szigetelők és fémek 0 k hőmérsékleten | 24 |
| Sajátvezetésű (intrinsic) félvezetők | 25 |
| A lyuk fogalma | 26 |
| Szennyezett (extrinsic) félvezetők | 28 |
| A töltésgordozók elosztása a sávokban termodinamikai egyensúly esetén | 30 |
| A töltéshordozók koncentrációja a Fermi-energia és a hőmérséklet függvényében | 30 |
| A töltéshordozók koncentrációja a sajátvezetésű félvezetőben | 31 |
| A töltéshordozók eloszlása nem elfajult szennyezett (extrinsic) félvezetőben | 32 |
| Az áram stacionárius állapotban | 34 |
| Vezetési áramsűrűség | 34 |
| Diffúziós áramsűrűség | 36 |
| Összefoglalás: a teljes áram izometrikusk állapotban | 38 |
| Nemstacionárius állapotok | 38 |
| Kontinuitási egyenletek | 38 |
| Élettartam | 39 |
| A p-n átmenet | 41 |
| Definíciók | 41 |
| A nem előfeszített meredek p-n átmenet vizsgálata | 41 |
| Diffúzós feszültség | 41 |
| Potenciál a tértöltési tartományban | 43 |
| Egyenfeszültséggel előfeszített meredek p-n átmenet | 47 |
| Működési elv | 47 |
| Az áramsűrűség kifejezése stacionárius állapotban | 47 |
| Megjegyzések | 50 |
| A záróirányban előfeszített átmenet statikus kapacitása | 51 |
| A p-n átmenet feléledési ideje | 52 |
| Alagútdióda | 52 |
| A p-n-átmenetek legfontosabb alkalmazásai | 54 |
| A rétegtranzisztor | 55 |
| Bevezetés | 55 |
| A rétegtranzisztor elve és statikus karakterisztikája | 55 |
| Működési elv | 55 |
| Statikus karakterisztikák | 56 |
| Kis szinten működő homogén bázisú rétegtranzisztorok lineáris elmélete | 59 |
| A töltéshordozók koncentrációjának meghatározása | 59 |
| A tranzisztor vizsgálata változó üzemmódban | 65 |
| Drift-tranzisztor (belső terű tranziszto) | 70 |
| A tranzisztor mátrixai és helyettesítő kapcsolásai | 71 |
| Működés kis frekvencián | 71 |
| Működés nagy frekvencián | 74 |
| A térvezérlésű tranzisztor (FET: Field Effect Transistor) | 75 |
| Működési elv | 75 |
| A működés elmélete | 76 |
| A nyelőáram meghatározása térerőtől független mozgékonyság esetén | 76 |
| Az alapréteg hatása. Nyelő-csatorna kapacitás, kimeneti ellenállás, erősítési tényező | 79 |
| Az elektromos térrel okozott mozgékonyságcsökkentés hatása | 81 |
| Helyettesítő kapcsolások | 82 |
| Kapcsolóelemek | 83 |
| Tirisztorok | 83 |
| Nem egyenirányú kapuérintkező tirisztor | 83 |
| Kapuátmenetes tirisztor | 85 |
| Kétirányú vagy triac tirisztor | 86 |
| Egyátmenetű (unijunction) tranzisztorok | 86 |
| A kapcsolástechnikában alkalmazott tranzisztorok | 87 |
| Elektronemisszió vákuumban | 89 |
| Bevezetés: a fémek kilépési munkája | 89 |
| Termikus elektronmisszió | 90 |
| Dushmann-törvény | 90 |
| A Dushmann-törvény módosítása | 91 |
| Alkalmazások: emittáló katódok | 94 |
| Alkalmazások: vákuumdióda | 95 |
| Fotoelektromos emisszió | 96 |
| A fotoemisszióról általában | 96 |
| A fotoelektromos áram | 97 |
| Szekunder emisszió | 99 |
| A szekunder emisszióról általában | 99 |
| Fizikai magyarázat | 101 |
| Alkalmazások | 102 |
| Mikrohullámú generátorok | 106 |
| Mikrohullámú generátorok | 106 |
| Klisztoron | 106 |
| Haladóhullámú csövek | 108 |
| Magnetron | 110 |
| Szilárdtest alapú generátorok | 113 |
| Lavinadiódák | 113 |
| Diódás harmonikus generátorok | 117 |
| Gunn-diódák | 118 |
| Az elektronikus eszközök és a zaj | 122 |
| Különböző elektronikus zajforrások | 122 |
| A zaj szemléletes bemutatása | 122 |
| A sörétzaj | 124 |
| A termikus zaj | 126 |
| A generációs-rekombinációs zaj | 129 |
| A dipólusok alapzaja | 131 |
| Zaj az áramköri elméletben | 131 |
| Vákuumdiódák, söréteffektus | 133 |
| A rétegdiódák zaja | 134 |
| Alagútdiódák | 136 |
| A négypólusok alapzaja | 137 |
| Zaj az áramköri elméletben | 137 |
| A rétegtranzisztor zaja | 138 |
| A fotosokszorosítók alapzaja | 141 |
| A félvezető eszközök előállításának módszerei | 144 |
| Kristályok előállítása | 144 |
| Nagy tisztaságú félvezetők előállítása | 144 |
| Egykristályok előállítása | 144 |
| Az átmenetek és az eszközök elkészítése | 146 |
| Átmenet kialakítása húzással | 146 |
| Átmenet kialakítása ötvözéssel | 146 |
| Átmenet kialakítása szennyezés diffúziójával egykristályban | 146 |
| Planár technológia | 148 |
| A félvezető készülékelemek felépítése | 149 |
| Integrált áramkörök | 150 |
| A megbízhatóságelmélet alapfogalmai | 151 |
| Általános definíciók | 151 |
| Meghatározás | 151 |
| Belső megbízhatóság és üzemi megbízhatóság | 151 |
| A megbízhatóság megállapítása | 152 |
| A megbízhatóság vizsgálatában alkalmazott függvények | 152 |
| Mintavétel: becslés és konfidencia intervallum | 152 |
| Az elektronikus készülékek élettartama | 154 |
| A megbízhatóságelméletben alkalmazott valószínűségi eloszlások | 154 |
| Binomiális eloszlás | 154 |
| Poisson-eloszlás | 155 |
| Exponenciális-eloszlás | 155 |
| Normális eloszlás | 157 |
| Weibull-eloszlás | 157 |
| Az elektronikus berendezések megbízhatósága | 157 |
| Általános megjegyzések a készülékek megbízhatóságáról | 157 |
| A soros kapcsolású rendszerek megbízhatósága | 158 |
| A párhuzamos kapcsolású rendszerek megbízhatósága | 159 |
| A tartalék elemekkel képzett rendszerek megbízhatósága | 160 |
| A szükséges kvantummechanikai alapok összefoglalása | 162 |
| Az elektronok statisztikája | 164 |
| Általános megjegyzések | 164 |
| Az elektronállapotok betöltése. A Fermi-függvény | 164 |
| A szennyezési szintek betöltése | 165 |
| A valószínűségi függvények alapjairól | 166 |
| A valószínűségi függvény korrelációs függvényének harmonikus analízise | 166 |
| Lineáris szűrő | 166 |
| A lineáris (véletlenszerű) szűrő választása egy Poisson-eloszlás szerinti impulzussorozatra | 167 |
| Tárgymutató | 169 |
Folytatás Microsoft-tal