| Előszó | 9 |
| Legfontosabb jelölések | 11 |
| Bevezetés | 13 |
| A térvezérlésű tranzisztor története | 13 |
| Térvezérlésű tranzisztorok; fogalmak és meghatározások | 15 |
| Félvezetők tulajdonságai | 19 |
| A kristályszerkezet | 19 |
| Az energiasáv-modell | 20 |
| Fémek, szigetelők, félvezetők | 21 |
| A Fermi-szint | 22 |
| Elektromos töltések félvezetőkben | 24 |
| Elektronok és lyukak, szerkezeti félvezetők | 24 |
| Szennyezett (adalékolt) félvezetők | 25 |
| Térvezérlés | 29 |
| A felületi réteg tulajdonságai | 30 |
| Fém-oxid-félvezető (MOS) térvezérlésű tranzisztorok | 32 |
| Térvezérlésű tranzisztorok felépítése | 32 |
| Kiürítéses és növekményes típusok | 33 |
| Drain és source | 35 |
| Küszöbfeszültség és töltésegyensúly | 36 |
| Áram-feszültség-karakterisztikák | 40 |
| Nagyon alacsony feszültség esete (a lineáris tartomány) | 40 |
| Alacsony drainfeszültségű üzem (az elzáródás alatti tartomány) | 41 |
| Nagy drainfeszültség esete (a telítési tartomány) | 43 |
| Másodrendű hatások az áram-feszültség-karakterisztikában | 44 |
| A kimeneti impedancia | 44 |
| A szubsztrált feszültség | 45 |
| Letörés a draintartományban | 45 |
| Letörés a gate-elektródában | 46 |
| A hőmérséklet hatása a MOS tranzisztorokra | 47 |
| Öregedési hatások | 48 |
| MOS tranzisztorok kapacitásai | 48 |
| A gate-kapacitás | 48 |
| A drainkapacitás | 49 |
| Térvezérlésű tranzisztorok különleges típusai | 51 |
| Záróréteges térvezérlésű tranzisztorok | 51 |
| Áram-feszültség-karakterisztikák | 52 |
| Hőmérsékletfüggés | 54 |
| Kapacitások | 56 |
| Schottky-gate térvezérlésű tranzisztorok | 56 |
| Memóriatranzisztorok | 57 |
| MOS tranzisztorok digitális áramkörökben | 60 |
| Általános követelmények logikai áramkörökre | 60 |
| Az inverter; karakterisztikája és teljesítményfelvétele | 62 |
| Az inverter nyugalmi állapotainak stabilitása | 68 |
| Zajtartalék és zajvédettség | 71 |
| Az inverter sebessége | 73 |
| Az inverter terveszése | 80 |
| Összefoglalás | 82 |
| Komplementer inverterek | 82 |
| Órajeles logika | 88 |
| Logikai kapuk | 90 |
| NEM-VAGY kapuk | 90 |
| NEM-ÉS kapuk | 92 |
| Relé és logika | 93 |
| Komplementer áramkörök | 94 |
| Regiszterek és memóriák | 98 |
| Flip-flop áramkörök | 98 |
| Dinamikus regiszterek | 100 |
| Tolóregiszterek | 102 |
| Dinamikus időregiszterek | 102 |
| Sztatikus tolóregiszterek | 106 |
| Töltéscsatolású eszközök és "bucket-brigade" regiszterek | 109 |
| Töltéscsatolású eszközök | 109 |
| Bucket-brigade regiszterek | 111 |
| Véletlen elérésű memóriák (RAM) | 112 |
| Csak olvasó memóriák (ROM) | 112 |
| Író-olvasó memóriák (RWM) | 117 |
| MOS tranzisztorok lineáris áramkörökben | 128 |
| A MOS tranzisztorok karakterisztikái | 128 |
| Szivárgási áramok | 129 |
| Kisjelű áramkörök földelt source-szal | 129 |
| Zajviszonyok MOS tranzisztorokban | 135 |
| MOS tranzisztorok torzítása | 138 |
| Gyártás és technológia | 139 |
| Egykristály anyag | 139 |
| Szeletelés és felületi kezelés | 142 |
| A szilícium oxidációja | 144 |
| Fotoreziszt | 147 |
| A maszk előállítása | 148 |
| Diffúzió | 148 |
| A gate-szigetelés előállítása | 151 |
| Fémezés | 151 |
| Vékonyréteg tranzisztorok | 152 |
| Szilícium-zafír technika | 153 |
| Integrált áramköri technológia | 156 |
| A szilícium felszíni területe | 157 |
| Átbújtatott összeköttetések | 158 |
| Sztatikus átütés elleni védelem | 159 |
| MOS áramkörök elrendezése | 160 |
| Próbaegységek | 161 |
| Nagybonyolultságú áramkörök | 162 |
| Integrált áramkörök csatlakozási szempontjai | 165 |
| Példa MOS LSI áramkörök tervezésére | 167 |
| Irodalom | 173 |