Tranzisztortechnika

Fizikai alapfogalmak. Rétegdióda. Rétegtranzisztor leneáris elmélete. Rétegtranzisztor nagyjelű viselkedése. Rétegtranzisztor statikája/Kézirat

Szerző

Budapest

'Házman István: Tranzisztortechnika ' összes példány

Kiadó:	Felsőoktatási Jegyzetellátó Vállalat
Kiadás helye:	Budapest
Kiadás éve:	1962
Kötés típusa:	Tűzött kötés
Oldalszám:	236 oldal
Sorozatcím:	Mérnöki Továbbképző Intézet előadássorozata
Kötetszám:	4003
Nyelv:	Magyar
Méret:	24 cm x 16 cm
ISBN:
Megjegyzés:	Kézirat. Megjelent 250 példányban. 112 fekete-fehér ábrával illusztrált. Tankönyvi szám: 62-J1272.

Értesítőt kérek a kiadóról

Értesítőt kérek a sorozatról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Tartalom

Fizikai alapfogalmak a félvezető anyagok viselkedéséhez
Bevezetés	9
Történeti áttekintés	9
A tárgyalásmód megválasztása	11
Mit nevezünk félvezetőnek?	12
Félvezető anyagu kristályok felépülése	13
Kristályszerkezet	13
A valenciakötés fogalma	14
Vegyértékelektronok energiaállapota	16
Csatolás fogalma, energianivók felhasadása	17
Lehetséges állapotok sürüsége, tiszta kristályok sávdiagramja	19
Szennyezett kristályok	22
Szennyezés fogalma, beépülése	22
Szennyezett anyagok energiasáv-ábrái	23
Elektronok termikus gerjesztése	25
Energiaállapot abszolut nulla hőmérsékleten	25
Fermi-Dirac valószinüségi eloszlás	26
Szabad hordozók keletkezése tiszta anyagu kristályban	29
Szabad hordozók keletkezése donor-szennyezett kristályban	35
Szabad hordozók keletkezése akceptor-szennyezett kristályban	39
Donor- és akceptor-szennyezés együttes jelenléte	41
Összefoglalás	42
Szabad hordozók hőmozgása	43
Elektromos tér hatása, vezetőképesség	45
A vezetőképesség számitása	45
A vezetőképesség hőmérséklet-függése	46
A tiltott sáv szélessége	48
Diffuziós áram, Einstein-összefüggés	49
A diffuziós áram	49
A diffuziós állandó számértéke	51
Rekombináció	54
Diffuziós áramlás rekombináció jelenlétében	56
Hall-effektus	59
A rétegdióda	61
A p-n szennyezésátmenet elmélete	61
Minőségi jellemzés a részecskemodell alapján	61
Átmeneti potenciál, Boltzmann-egyenlet	66
Külső feszültség alkalmazása	68
Az elektromos tér által visszaszippantott hordozók árama	69
A diffuziós nyitóáram	72
Dióda-egyenlet	73
A kiüritett réteg	76
Szennyezésátmenet fajtái	76
Potenciálmenet, térerősség, a kiüritett réteg szélessége	78
Az átmeneti kapacitás és feszültségfüggése	87
Zárókarakterisztika letörése	89
Diódakarakterisztika hőfokfüggése	95
A rétegdióda kisjelü helyettesitő áramköre	99
Diódatipusok	103
Az Esaki-dióda	106
A rétegtranzisztor lineáris elmélete	115
Az áramerősités	115
A kollektorfeszültség hatása	130
Az átviteli tényező frekvenciafüggése	143
A valóságos tranzisztor	152
Az átmeneti kapacitások	157
A valóságos tranzisztor kisjelü T-helyettesitő áramköre	158
A valóságos tranzisztor kisjelü hibrid-Pí helyettesitő áramköre	163
A tranzisztor nagyjelü viselkedése	170
Bevezetés	170
Maradékáramok	171
Zárókarakterisztika-letörés	176
Az áramerősítés alakulása	179
A kollektoroldali lyukemisszió	197
Karakterisztikák	204
A rétegtranzisztor statikája	212
Munkapont fogalma és beállításának módjai	212
A munkapontjellemzők hőmérsékletfüggése	217
A kollektoráram stabilizálása	218
A megengedhető disszipáció	224
A tranzisztor termikus stabilitása	231

Témakörök

Házman István

Házman István műveinek az Antikvarium.hu-n kapható vagy előjegyezhető listáját itt tekintheti meg: Házman István könyvek, művek

Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem