kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát
| Kiadó: | Akadémiai Kiadó |
|---|---|
| Kiadás helye: | Budapest |
| Kiadás éve: | |
| Kötés típusa: | Ragasztott papírkötés |
| Oldalszám: | 311 oldal |
| Sorozatcím: | Műszaki tudományok - Az elektronika újabb eredményei |
| Kötetszám: | 11 |
| Nyelv: | Magyar |
| Méret: | 20 cm x 14 cm |
| ISBN: | 963-05-6439-4 |
| Megjegyzés: | Fekete-fehér ábrákkal illusztrált. |
| Előszó | 9 |
| Bevezetés | 13 |
| A mikrohullámú félvezető eszközök fejlődése | 13 |
| Rövid történeti áttekintés a III-V típusú vegyület-félvezetőkről | 21 |
| Új félvezető anyagok és szerkezetek | 30 |
| A III-V típusú vegyület-félvezetők általános tulajdonságai | 31 |
| Terner és kvaterner III-V félvezetők | 46 |
| Töltéshordozó-transzport, kis elektromos terek | 52 |
| Transzport nagy elektromos terekben | 65 |
| Egyes fontosabb III-V anyagok tulajdonságai | 78 |
| Indium-foszfid | 78 |
| Gallium-antimonid | 86 |
| Alumínium-gallium-arzenid | 88 |
| Indium-gallium-arzenid és indium-gallium-arzenid-foszfid | 91 |
| Indium-gallium-foszfid | 97 |
| Alumínium-indium-arzenid | 98 |
| Széles tiltott sávú anyagok | 99 |
| Új fizikai elvek és új eszközszerkezetek a mikrohullámú félvezető-technikában | 101 |
| Anyagjellemzők és eszközparaméterek kapcsolata | 102 |
| Futási időn alapuló eszközök határfrekvenciájának kapcsolata az anyagjellemzőkkel | 107 |
| Ballisztikus transzport félvezető eszközökben | 119 |
| Rezonáns alagúthatás kvantumgödörben, két potenciálgátas dióda | 124 |
| Gunn-jelenség vegyület-félvezetőkben, Gunn-eszközök | 132 |
| IMPATT és rokon eszközök | 140 |
| Rövid mikrohullámú impulzusok előállítása optikai módszerekkel | 144 |
| Heteroszerkezetek mikrohullámú félvezető eszközökben | 152 |
| Heteroszerkezetek általános jellemzése | 152 |
| Kétdimenziós elektrongáz tulajdonságai heteroátmenetekben | 161 |
| Heteroátmenetes térvezérlésű tranzisztorok, nagy elektronmozgékonyságú tranzisztor | 172 |
| Heteroátmenetes bipoláris tranzisztorok | 190 |
| Néhány különleges heteroátmenetes tranzisztor | 197 |
| Forróelektron-tranzisztor | 197 |
| Áteresztő bázisú tranzisztor | 200 |
| Szigetelt vezérlőelektródájú térvezérlésű heterotranzisztor | 201 |
| Félvezető-szigetelő-félvezető térvezérlésű tranzisztor | 202 |
| Vertikális elrendezésű tranzisztor | 205 |
| Rezonáns alagúthatású tranzisztor | 206 |
| Néhány technológiai művelet | 209 |
| Epitaxiás rétegnövesztési módszerek | 210 |
| Molekulasugaras epitaxia | 212 |
| Fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztás | 214 |
| Kémiai sugaras epitaxia | 217 |
| III-V típusú félvezetők növesztése szilícium hordozóra | 219 |
| GaAs és más III-V típusú félvezetők növesztése szigetelőkristályokra | 225 |
| Korszerű rétegadalékolási módszerek | 228 |
| Neutrontranszmutációs adalékolás | 228 |
| Ionimplantálás GaAlAs/GaAs heteroszerkezetbe | 231 |
| Ionimplantálás InP rétegszerkezetbe | 234 |
| Litográfiás műveletek | 235 |
| Elektronlitográfia | 236 |
| Röntgenlitográfia | 238 |
| Ionlitográfia | 242 |
| Szigetelőrétegek III-V típusú vegyület-félvezetőkön | 243 |
| III-V típusú félvezető-fluorid rendszer | 244 |
| InP MIS rendszer | 246 |
| InGaAs MIS rendszer és alkalmazása | 249 |
| Nagy hőmérséklet-stabilitású kontaktusok | 251 |
| Összefoglalás és kitekintés | 257 |
| Függelék | 259 |
| Jelölések | 259 |
| Angol/amerikai betűszavak | 262 |
| Irodalom | 268 |
Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.