Elektronikus eszközök I.

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar

Szerző

'Valkó Iván Péter: Elektronikus eszközök I. ' összes példány

Kiadó:	Műegyetemi Kiadó
Kiadás helye:	Budapest
Kiadás éve:	1998
Kötés típusa:	Ragasztott papírkötés
Oldalszám:	523 oldal
Sorozatcím:
Kötetszám:
Nyelv:	Magyar
Méret:	24 cm x 17 cm
ISBN:
Megjegyzés:	Tankönyvi szám: 51367. Fekete-fehér ábrákkal illusztrálva.

Értesítőt kérek a kiadóról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Tartalom

Az elektronikus eszközök bevezető áttekintése	11
Félvezető fizikai összefoglaló	35
Félvezetők sávszerkezete	35
A diszperziós reláció	35
Az elektronállapotok sűrűsége	39
Fermi statisztika, intrinsic félvezető	41
Adalékolt félvezetők	44
A töltéshordozó koncentrációk és a Fermi szint kapcsolata	48
A Fermi nívó helyzete	50
Hőmérsékletfüggés	54
Áttérés potenciálokra, nem egyensúlyi koncentrációk	55
Az eszközfizika alapegyenletei	57
Extenzív és intenzív mennyiségek	58
Az általános transzportegyenlet	58
A megmaradási törvény	59
Áramok, transzportegyenletek	61
Megjegyzések a transzportegyenletekhez	65
Kiegészítő egyenletek	66
Az alapegyenletek legfontosabb következményei	66
Neutralitás és egyensúly	66
Áramok félvezetőkben	69
Egyensúly inhomogén anyagban	70
Felületi jelenségek	72
A dielektromos relaxáció	76
Diffúziós egyenlet, diffúziós hossz	78
Félvezetők anyagi paraméterei	80
Mozgékonyság	80
Félvezetők fajlagos ellenállása	81
Generációs-rekombinációs jelenségek	82
A kisszintű élettartam	88
Generáció nagy térerősség esetén	89
Generáció külső hatások következtében	90
A pn átmenet	92
A pn átmenet struktúrája	92
A pn átmenet sztatikus viszonyai	96
Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál	96
Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg	102
Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása	106
A pn átmenet potenciálmenetének pontos számítása	118
A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája	121
Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata	121
Az ideális dióda egyenlet	129
Nagyáramú jelenségek a nyitó tartományban	148
Generáció-rekombinációs jelenségek	157
Letörési jelenségek	167
A pn átmenet differenciális jellemzői és kapacitásai	180
A pn átmenet differenciális ellenállása	180
A pn átmenet kapacitásai	185
Diffúziós kapacitás és admittancia	188
A tértöltéskapacitás számítása	200
A pn átmenet kapcsolódó működése	206
Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése	206
Diódatranziensek és kvalitatív magyarázatuk	211
Bekapcsolási tranziens	214
Kikapcsolási tranziens. A záró irányú feléledési idő	218
A pn átmenet töltésegyenlete	223
A gyorsítás lehetőségei	230
A pn átmenet működésének hőmérséklet-függése	231
A záróáram hőmérsékletfüggése	231
A nyitófeszültség hőmérséklet-függése	233
Félvezető diódák	235
Tokozás, termikus jellemzők	235
Félvezető diódák tokozása	235
Hőelvezetés, hővezetési ellenállás	238
Hőmérsékleti hatások a dióda elektromos viselkedésében	245
A félvezető diódák adatlapja	252
A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere	253
Egy adatlap részletes ismertetése	254
Különleges félvezető diódák	260
Változó kapacitású diódák	260
Zener diódák	264
Nagyfeszültségű diódák. A p-i-n dióda	269
A félvezető diódák számítógépi modellezése	275
A bipoláris tranzisztor	277
A bipoláris tranzisztor struktúrája	277
A bipoláris tranzisztor működése	282
A tranzisztorhatás	282
Az áramerősítés	285
Injektálási hatásfok, transzporthatásfok	286
Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor	288
A tranzisztor üzemmódjai	291
Potenciálviszonyok a tranzisztorban	293
Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság	294
Beépített tér a bázisban	295
Az ideális tranzisztor egyenáramú karakterisztikája	297
A karakterisztikaszámítás általános módszere	297
A tranzisztor normál aktív üzeme	300
A tranzisztor inverz aktív üzeme	312
A tranzisztor telítéses működése. Az Ebers-Moll-egyenletek	316
Az ideális tranzisztor karakterisztikái	325
A valóságos tranzisztor karakterisztikái	338
A CB parazita dióda hatása	338
A soros ellenállások	340
Kimenő vezetés és visszahatás Early-effektus	345
Az áramerősítés munkapont függése	355
Az áramkiszorítás	361
Egyenáramú jellemzők a tranzisztor adatlapon	366
Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások	373
A kisjelű erősítőműködés jellege	373
Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés	375
Kisjelű fizikai helyettesítőképek	375
A kapacitások figyelembevétele	382
Négypólus helyettesítő képek	384
Nagyfrekvenciás működés	392
A tranzisztor határfrekvenciái	392
Az áramerősítés nagyfrekvenciás csökkenésének okai	394
A határfrekvenciák számítása	398
Konstrukciós szempontok a nagyfrekvenciás tranzisztoroknál	402
A tranzisztor kapcsoló működése	403
A kapcsoló működés jellege	403
Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény	405
Áramköri tranziensek	410
A belső működés tranziensei	417
A töltésegyenletek	423
A kapcsolási idők számítása	428
Térvezérlésű tranzisztorok	434
A MOS struktúra	435
A MOS struktúra és kapacitása	435
Tértöltés a félvezető felület környezetében	441
A küszöbfeszültség	446
Az inverziós töltés	452
Az oxidtöltés hatása a küszöbfeszültségre	455
Küszöbfeszültség beállítás ionimplantációval	456
Az inverziós réteg sajátságai	457
A növekményes MOS tranzisztor	461
A növekményes MOS tranzisztor felépítése	461
A MOS tranzisztor differenciál-egyenlete	462
A karakterisztikaegyenlet meghatározása	464
A MOS tranzisztor ideális karakterisztikája, a telítési feszültség	467
A MOS tranzisztor négyzetes ellenállása	469
Méretcsökkentési szabályok (scale down)	471
Komplementer MOS tranzisztorpárok	474
A kiürítéses MOS tranzisztor	476
Részletes tárgyalás	479
Potenciáleloszlás	479
Működési sebesség	482
A telítéses üzemállapot részletes vizsgálata	483
A telítési feszültség és a telítési áram	487
A mozgékonyság térerősség függésének hatása	489
A szubsztrát-előfeszültség hatása	491
Küszöbfeszültség alatti áram	491
A source és drain körül kialakuló tértöltésréteg hatása, a rövidcsatornás MOS tranzisztor	497
Alkalmazási kérdések	501
A MOS tranzisztor kapcsolóüzeme	501
A karakterisztika hőmérsékletfüggése	505
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor	507
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor működése	507
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor differenciálegyenlete	510
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor karakterisztikája	512
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor paraméterei	516
Töltésáthaladási idő és sávjóság	518
Hőmérsékletfüggés	520
Függelék	523

Témakörök

Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem